Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Ancho
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 6,04
€ 0,604 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 6,04
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Empaque de Producción (Rollo)
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Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Ancho
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto