Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto