Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,6 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,6 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto