Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Ancho
2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
0.8mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 0,152
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Ancho
2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
0.8mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto