MOSFET Texas Instruments CSD13383F4T, VDSS 12 V, ID 2,9 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
0.64mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 0 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
1.04mm
Material del transistor
Si
Serie
FemtoFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
0.35mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
10
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
0.64mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 0 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Ancho
1.04mm
Material del transistor
Si
Serie
FemtoFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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