MOSFET Texas Instruments BQ500101DPCT, VDSS 30 V, ID 10 A, VSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble

Código de producto RS: 133-0142Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: BQ500101DPCT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

8 W

Transistor Configuration

Dual Base

Profundidad

3.6mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Longitud

4.6mm

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de diodo directa

0.24V

Datos del producto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

Bloque de potencia NexFET de medio puente

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

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5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
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NexFET

Tipo de Encapsulado

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8

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Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3.7V

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8 W

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Profundidad

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2

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Longitud

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