MOSFET Taiwan Semiconductor TSM6N60CP ROG, VDSS 600 V, ID 6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-3634Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM6N60CP ROG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,25 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

89000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20,7 nC a 10 V

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1.5V

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2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
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Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,25 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

89000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.5mm

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