MOSFET Taiwan Semiconductor TSM60NB1R4CP ROG, VDSS 600 V, ID 3,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.8mm
Largo
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
2.3mm
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2500
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Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.8mm
Largo
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
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