MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG, VDSS 600 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-3627Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM4NB60CP ROG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.13V

Altura

2.28mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG, VDSS 600 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Ancho

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