MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4946DCS RLG, VDSS 60 V, ID 4,5 A, SOP de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V