MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4806CS RLG, VDSS 20 V, ID 28 A, SOP de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud:
4.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,3 nC a 4,5 V
Profundidad
3.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud:
4.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,3 nC a 4,5 V
Profundidad
3.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V