MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3616Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM2309CX RFG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

240 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

1.56 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,2 nC a 10 V

Largo

2.9mm

Altura

0.95mm

Tensión de diodo directa

1V

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P.O.A.

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3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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P

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

240 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

1.56 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.6mm

Número de Elementos por Chip

1

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+150 ºC

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