Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
192 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,99 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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€ 0,241
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
192 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,99 nC a 4,5 V
Altura
1.05mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C