MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCS RLG, VDSS 60 V, ID 23 A, SOP de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.85mm
Profundidad
3.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.55mm
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P.O.A.
2500
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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4.85mm
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