MOSFET Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,5 nC a 4,5 V
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1V
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€ 0,313
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,313 | € 7,84 |
75 - 125 | € 0,271 | € 6,78 |
150 - 475 | € 0,237 | € 5,94 |
500+ | € 0,215 | € 5,38 |
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Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
54,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,5 nC a 4,5 V
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1V