MOSFET Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-3659Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM090N03CP ROG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

54,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

40 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,5 nC a 4,5 V

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1V

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75 - 125€ 0,271€ 6,78
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500+€ 0,215€ 5,38

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N

Maximum Continuous Drain Current

54,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

40 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

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