Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Corriente Continua Máxima Directa
16A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
60V
Configuración de diodo
Cátodo común
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
2
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
170A
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, 10 A a 60 A, Taiwan Semiconductor
Baja pérdida de potencia
Caída de tensión directa baja
Capacidad de corriente alta
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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P.O.A.
Estándar
5
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Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Corriente Continua Máxima Directa
16A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
60V
Configuración de diodo
Cátodo común
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
2
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
170A
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, 10 A a 60 A, Taiwan Semiconductor
Baja pérdida de potencia
Caída de tensión directa baja
Capacidad de corriente alta