Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1.2mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
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Price on asking
3000
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Taiwan SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1.2mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
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