Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
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P.O.A.
250
P.O.A.
250
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Taiwan SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.1 x 4.1 x 4.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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