Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,673 | € 3,36 |
25 - 45 | € 0,639 | € 3,20 |
50 - 120 | € 0,574 | € 2,87 |
125 - 245 | € 0,519 | € 2,60 |
250+ | € 0,493 | € 2,46 |
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STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
10
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.