Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
105 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
210000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
5.15mm
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 179,16
€ 5,972 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 179,16
€ 5,972 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 60 | € 5,972 | € 179,16 |
90 - 480 | € 4,951 | € 148,54 |
510 - 960 | € 4,372 | € 131,15 |
990+ | € 3,798 | € 113,94 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
105 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
210000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
5.15mm
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.15mm
Datos del producto