MOSFET STMicroelectronics STW120NF10, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
312000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
172 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.15mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 76,14
€ 2,538 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,538 | € 76,14 |
| 90 - 480 | € 2,132 | € 63,97 |
| 510 - 960 | € 1,888 | € 56,66 |
| 990 - 4980 | € 1,751 | € 52,53 |
| 5010+ | € 1,475 | € 44,24 |
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Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
312000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
172 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Número de Elementos por Chip
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