MOSFET STMicroelectronics STW10NK60Z, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Altura
20.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Serie
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.15mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.75mm
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
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