MOSFET STMicroelectronics STS5NF60L, VDSS 60 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 5 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.65mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| 50 - 90 | € 0,757 | € 7,57 |
| 100 - 240 | € 0,681 | € 6,80 |
| 250 - 490 | € 0,614 | € 6,14 |
| 500+ | € 0,582 | € 5,82 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 5 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
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Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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