Diodo, STPS200170TV1, Rectificador Schottky, 200A, 170V Schottky, ISOTOP, 4-Pines 850mV
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Corriente Continua Máxima Directa
200A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
170V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Rectificador Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
4
Caída de tensión directa máxima
850mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
700A
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, 40 A a 240 A, STMicroelectronics
Este rectificador Schottky de alta tensión es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta frecuencia.
Encapsulado en ISOTOP, este dispositivo está diseñado para usar en la rectificación secundaria de aplicaciones.
Principales características:
- Pérdidas de conmutación insignificantes
- Avalancha nominal
- Corriente de fugas baja
- Buen equilibrio entre corriente de fugas y caída de tensión directa
- Encapsulado aislado ISOTOP:
Tensión aislada: 2.500 VRMS
- capacitancia: 45 pF
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Tipo de Encapsulado
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Corriente Continua Máxima Directa
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Tensión Repetitiva Inversa de Pico
170V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Rectificador Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
4
Caída de tensión directa máxima
850mV
Número de Elementos por Chip
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Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
700A
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, 40 A a 240 A, STMicroelectronics
Este rectificador Schottky de alta tensión es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta frecuencia.
Encapsulado en ISOTOP, este dispositivo está diseñado para usar en la rectificación secundaria de aplicaciones.
Principales características:
- Pérdidas de conmutación insignificantes
- Avalancha nominal
- Corriente de fugas baja
- Buen equilibrio entre corriente de fugas y caída de tensión directa
- Encapsulado aislado ISOTOP:
Tensión aislada: 2.500 VRMS
- capacitancia: 45 pF