Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 3,76
€ 1,878 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
€ 3,76
€ 1,878 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
2
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 2 | € 1,878 | € 3,76 |
| 4+ | € 1,787 | € 3,57 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto


