Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
33 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 21,74
$ 2,174 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
$ 21,74
$ 2,174 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Tubo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
10 - 20 | $ 2,174 | $ 10,87 |
25 - 95 | $ 2,056 | $ 10,28 |
100 - 495 | $ 1,668 | $ 8,34 |
500+ | $ 1,413 | $ 7,06 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
33 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto