Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 7,96
€ 1,593 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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