Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Ancho
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 0,632
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-18 V, +18 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Ancho
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 5 V
Material del transistor
Si
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto