Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N65DM2, ID 25 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35,5 NC a 10 V.
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
15.75mm
País de Origen
China
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€ 2,912
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,912 | € 145,60 |
| 100 - 200 | € 2,537 | € 126,83 |
| 250 - 450 | € 2,408 | € 120,40 |
| 500 - 950 | € 2,15 | € 107,48 |
| 1000+ | € 2,001 | € 100,05 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35,5 NC a 10 V.
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Temperatura Mínima de Operación
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