Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N60DM6, ID 15 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
195 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,614 | € 7,23 |
| 10 - 18 | € 3,397 | € 6,80 |
| 20 - 48 | € 3,216 | € 6,43 |
| 50 - 98 | € 3,041 | € 6,08 |
| 100+ | € 2,895 | € 5,79 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
195 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
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