MOSFET STMicroelectronics STP260N6F6, VDSS 60 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
183 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
15.75mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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|---|---|
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| 5 - 9 | € 6,21 |
| 10 - 24 | € 5,60 |
| 25 - 49 | € 5,04 |
| 50+ | € 4,78 |
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N
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-60 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
183 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
15.75mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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