Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
950 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 17,45
€ 3,489 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Especificaciones
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
950 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
330 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
Datos del producto