Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
158000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 10,70
€ 2,141 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,141 | € 10,70 |
25 - 45 | € 2,033 | € 10,17 |
50 - 120 | € 1,83 | € 9,15 |
125 - 245 | € 1,648 | € 8,24 |
250+ | € 1,564 | € 7,82 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
158000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.