MOSFET STMicroelectronics STP120NF10, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
312000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
172 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.4mm
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.15mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
10.4mm
Ancho
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Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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