Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 0,917
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | € 0,917 | € 4,58 |
10 - 20 | € 0,802 | € 4,01 |
25 - 95 | € 0,76 | € 3,80 |
100 - 495 | € 0,552 | € 2,76 |
500+ | € 0,461 | € 2,30 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Profundidad
3.5mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto