Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 0,706
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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STripFET F7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.