MOSFET STMicroelectronics STL90N6F7, VDSS 60 V, ID 90 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 165-8262Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL90N6F7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Series

STripFET F7

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

5.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Altura

0.95mm

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics

La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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N

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90 A

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STripFET F7

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

5.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Altura

0.95mm

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics

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