Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Ancho
8.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8.1mm
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
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€ 3,437
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Ancho
8.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8.1mm
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China