Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6 HV
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
415 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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€ 0,988
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6 HV
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
415 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China