MOSFET STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5861Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH3N150-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29,3 nC a 10 V

Profundidad

15.8mm

Material del transistor

Si

Altura

4.8mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

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2

Disponible en múltiplos de 2
2€ 10,30
4€ 20,60
6€ 30,90
8€ 41,19
10€ 48,36
12€ 58,03
14€ 67,70
16€ 77,37
18€ 87,04
20€ 91,65
22€ 100,81
24€ 109,98
26€ 119,14
28€ 128,31
30€ 137,47

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10 - 18€ 4,836€ 9,67
20 - 48€ 4,582€ 9,16
50 - 98€ 4,323€ 8,65
100+€ 4,118€ 8,24

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9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Longitud:

10.4mm

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