MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
117 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
10.57mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.8mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| 2 - 8 | € 3,423 | € 6,85 |
| 10 - 18 | € 3,25 | € 6,50 |
| 20 - 48 | € 2,926 | € 5,85 |
| 50 - 98 | € 2,633 | € 5,27 |
| 100+ | € 2,508 | € 5,02 |
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Series
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Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
117 nC a 10 V
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1
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10.57mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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