IGBT, STGW8M120DF3, N-Canal, 16 A a +25 °C, 1.200 V, TO, 3-Pines, 1MHZ 1 Simple

Código de producto RS: 165-3259Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGW8M120DF3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

16 A a +25 °C

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Tipo de Encapsulado

TO

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

542pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.24mJ

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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STMicroelectronics

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1200 V

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±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Tipo de Encapsulado

TO

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

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3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 5.15 x 20.15mm

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