Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
425 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±16V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 2,245
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,245 | € 11,23 |
10 - 95 | € 1,913 | € 9,57 |
100 - 495 | € 1,49 | € 7,45 |
500+ | € 1,312 | € 6,56 |
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STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
25 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
425 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±16V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.