IGBT, STGD18N40LZT4, N-Canal, 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
420 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
16V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,871 | € 9,36 |
25 - 45 | € 1,778 | € 8,89 |
50 - 120 | € 1,60 | € 8,00 |
125 - 245 | € 1,438 | € 7,19 |
250+ | € 1,368 | € 6,84 |
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STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
420 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
16V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.