MOSFET STMicroelectronics STFH18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Serie
MDmesh M2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
11.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.8mm
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
16.2mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Serie
MDmesh M2
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Material del transistor
Si
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
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4.8mm
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
16.2mm
Temperatura Mínima de Operación
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Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
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