MOSFET STMicroelectronics STF57N65M5, VDSS 710 V, ID 42 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
710 V
Series
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
63 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
98 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Material del transistor
Si
Longitud:
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Ancho
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
País de Origen
China
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MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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