MOSFET STMicroelectronics STF24N60M2, VDSS 650 V, ID 18 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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