Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Altura
16.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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€ 2,292
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,292 | € 11,46 |
25 - 45 | € 2,15 | € 10,75 |
50 - 120 | € 2,037 | € 10,19 |
125 - 245 | € 1,923 | € 9,61 |
250+ | € 1,834 | € 9,17 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Altura
16.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China