MOSFET STMicroelectronics STD95N2LH5, VDSS 25 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,4 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.6mm
Ancho
6.2mm
Material del transistor
Si
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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| 25 - 45 | € 1,33 | € 6,65 |
| 50 - 120 | € 1,194 | € 5,97 |
| 125 - 245 | € 1,079 | € 5,39 |
| 250+ | € 1,024 | € 5,12 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
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Series
STripFET V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,4 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.6mm
Ancho
6.2mm
Material del transistor
Si
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics
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