MOSFET STMicroelectronics STD80N4F6, VDSS 40 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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