MOSFET STMicroelectronics STB80NF55L-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET II
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
100 nC a 5 V
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,12
€ 3,062 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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2
€ 6,12
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,062 | € 6,12 |
| 20 - 38 | € 2,44 | € 4,88 |
| 40+ | € 2,388 | € 4,78 |
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Series
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
100 nC a 5 V
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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